熱氧化物在硅片製造的四種用途

1、金屬層間絕緣阻擋層：用做金屬連線間的保護層。2、注入屏蔽氧化層：用於減小注入夠到和損傷。3、勢氧化層：做氧化硅緩衝層以減小應力。4、摻雜阻擋層：作爲摻雜或注入雜質到硅片中的掩蔽材料。