ddr2和ddr3的區別

ddr2和ddr3的區別:

1、邏輯Bank數量不同：DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設計，目的就是爲了應對未來大容量芯片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步，因此起始的邏輯Bank就是8個，另外還爲未來的16個邏輯Bank做好了準備。

2、封裝不同：由於DDR3新增了一些功能，在引腳方面會有所增加，8bit芯片採用78球FBGA封裝，16bit芯片採用96球FBGA封裝;而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規格。並且DDR3必須是綠色封裝，不能含有任何有害物質。

3、突發長度不同：由於DDR3的預取爲8bit，所以突發傳輸週期(BL，Burst Length)也固定爲8，而對於DDR2和早期的DDR架構的系統，BL=4也是常用的。

DDR3爲此增加了一個4-bit Burst Chop(突發突變)模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數據突發傳輸，屆時可通過A12地址線來控制這一突發模式。

4、尋址時序不同：就像DDR2從DDR轉變而來後延遲週期數增加一樣，DDR3的CL週期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL範圍一般在2至5之間，而DDR3則在5至11之間，且附加延遲(AL)的設計也有所變化。

DDR2時AL的範圍是0至4，而DDR3時AL有三種選項，分別是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個時序參數——寫入延遲(CWD)，這一參數將根據具體的工作頻率而定。