5納米芯片和7納米芯片的區別

5納米芯片和7納米芯片的區別在於在塞下同等數量晶體管的情況下，5納米芯片的體積會比7納米芯片更小。體積大的7納米芯片，就會因爲工藝的問題，導致原件的電容比較大，需要的電壓相較於5納米芯片就更高，從而導致整體功耗變得更高。

2019年，全球首款5G SoC芯片海思麒麟990面世，採用了全球先進的7納米工藝;64層3D NAND閃存芯片實現量產;中芯國際14納米工藝量產。

在2020年的時間框架中，科技企業已經首次提出的5納米芯片的製造。5納米芯片操作工程的特點是，它使用的FinFET晶體管，節距爲20納米，而最緻密的金屬節距爲30納米。

在製造芯片時，納米制造操作越小，重要元件(晶體管)的尺寸就越小，使得芯片能夠將更多的元件裝入更小的外殼中。