場效應管是什麼

場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。主要有兩種類型：結型場效應管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數載流子參與導電，也稱爲單極型晶體管。它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成爲雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。

場效應管（FET）是利用控制輸入迴路的電場效應來控制輸出迴路電流的一種半導體器件，並以此命名。

由於它僅靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型晶體管。

FET 英文爲Field Effect Transistor，簡寫成FET。

特點

與雙極型晶體管相比，場效應管具有如下特點。

（1）場效應管是電壓控制器件，它通過VGS(柵源電壓)來控制ID（漏極電流）；

（2）場效應管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大；

（3）它是利用多數載流子導電，因此它的溫度穩定性較好；

（4）它組成的放大電路的電壓放大係數要小於三極管組成放大電路的電壓放大係數；

（5）場效應管的抗輻射能力強；

（6）由於它不存在雜亂運動的電子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。